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Capacità
256 GB, 512 GB, 1 TB
Fattore di forma
M.2 2280
Interfaccia
PCIe Gen3x4
Velocità
Lettura sequenziale da 256 GB fino a 3000 MB / s in lettura, scrittura sequenziale fino a 1300 MB / s1
IOPS: fino a 92 / 240K
Lettura sequenziale da 512 GB fino a 3300 MB / s in lettura, scrittura sequenziale fino a 2400 MB / s1
IOPS: fino a 200 / 256K
Lettura sequenziale da 1 TB fino a 3300 MB / s in lettura, scrittura sequenziale fino a 3000 MB / s1
IOPS: fino a 300 / 256K
Flash NAND
TLC 3D
temperatura di esercizio
Da 0 ° C a 70 ° C (da 32 ° F a 158 ° F)
Temperatura di conservazione
Da -40 ° C a 85 ° C (da -40 ° F a 185 ° F)
Resistente agli urti
1500G, durata 0,5 ms, mezza onda sinusoidale
Resistente alle vibrazioni
10 ~ 2000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 ott / min, 30 min / asse (X, Y, Z)
TBW
256 GB: 125 TB, 512 GB: 250 TB, 1 TB: 500 TB
DWPD
0.44
MTBF
1.500.000 ore
Dimensione (L x P x A)
80 mm x 22 mm x 2,25 mm / 3,15 "x 0,87" x 0,09 "
Peso
9 g
